RAMXEED的旋转编码器专用FeRAM（MB85RDP16LX）内置了计数器和FeRAM，因此应用于计算电机转速的旋转编码器时，可以发挥FeRAM自身高速启动、高速写入、低功耗等特点，通过线圈的感应电动势等产生的微弱电流完成FeRAM内存数据的计算和写入，即使在无电源状态下也能继续计算电机的转速。
选择旋转编码器
专用FeRAM的理由
选择旋转编码器专用FeRAM的五个理由：
1.高速启动
FeRAM不像EEPROM需要写入等待时间，并且重写次数较多，因此在内存中（即在FeRAM内部）进行数据的计算处理。
2.高速写入・高重写耐性
FFeRAM不像EEPROM需要写入等待时间，并且重写次数较多，因此在内存中（即在FeRAM内部）进行数据的计算处理。该产品MB85RDP16LX内部嵌入了计数处理的运算电路，因此无需从存储器外部读取之前的数据，可在内存中进行数据的计数运算处理，并使用运算后的数据覆盖保存。
3.低功耗
FeRAM无需升压电路设计进行数据写入，因此写入耗时短，所需功耗（能量）比其他非易失性存储器少得多。可以利用环境发电等微弱电流运行，并且在电池驱动的系统中也能长时间运行。
4.磁场耐性
与FeRAM一样高速写入的非易失性存储器还有MRAM，但MRAM采用磁化的方向来记录0和1,对磁场较为敏感，因此需要磁场屏蔽保护以防数据出错。尤其是在电机周围使用磁铁的环境中不推荐使用MRAM。FeRAM因其存储单元结构对磁场和电场具有较强的耐受性，同时对于软错误具有较强的抵抗力，因此可应用于太空领域。
5. 无需电池
FeRAM为非易失性存储器，无需电池保存数据，非常适合用于替换具有相似规格和使用用途的电池备份SRAM（BB-SRAM）。采用FeRAM替换BB-SRAM可移除系统中的电池，从而有效保护环境并降低维护成本。
FeRAM是用于旋转编码器非易失性存储器的最佳选择
由于以上1～5的理由，为旋转编码器开发的FeRAM MB85RDP16LX，在旋转编码器内磁铁和线圈发电的20至30微秒极短的供电时间内即可启动电源开始运作，并在内存中进行数据的计算处理，在运算数据写入后即可关机。
问题
由于线圈感应电动势产生电流时间极其短暂，仅为20～30微秒，普通的非易失性存储器无法在此期间完成写入操作。
用FeRAM解决
本FeRAM产品（MB85RDP16X）即使在仅提供20～30微秒脉冲状电源的环境中也能正确读取之前的数据，进行计数运算处理后更新并保存数据，可随时关机。
