选择ReRAM的理由
关于ReRAM
我公司提供两种非易失性存储器：FeRAM和ReRAM。两者各有特点，适用用场景也不同。
ReRAM的最大优势是读取时工作电流极小，数据读取次数无上限，适用于频繁读取程序的场景。此外，由于读取所需电流非常小，可延长电池寿命，尤其适用于需要电池驱动的小型设备。例如助听器以及智能手表等小型可穿戴设备。
另一方面，FeRAM的优势在于最大数据重写次数多，最多可进行100万亿次数据写入和擦除，因此适用于需要实时持续写入数据的场景。例如用于计量器、工业机器人以及汽车信息记录存储器。
ReRAM和FeRAM的特长
| ReRAM | FeRAM |
|---|---|
|
非易失性
|
非易失性
|
|
低读取电流
|
高重写耐性
|
|
大容量
|
高速書換え
|
|
超小型封装
|
低功耗
|
| FeRAM |
|---|
|
非易失性
|
|
高重写耐性
|
|
高速書換え
|
|
低功耗
|
非易失性存储器的定位
1.ReRAM的特点
ReRAM具有“非易失性”、“低读取电流”、“大容量”、“超小型封装”四个特点。
| 非易失性 |
|
|---|---|
| 低读取电流 |
|
| 大容量 |
|
| 超小型封装 |
|
与传统存储器产品的特点比较如下表所示。表中列出的EEPROM、闪存和SRAM这三种通用存储器均可简单替换成ReRAM。 相较于其他存储器，ReRAM的读取电流和写入电流都较小。由于工作电压最低为1.6V，工作时功耗降低。此外，与需要在电源关闭时用电池保存数据的SRAM相比，ReRAM作为非易失性存储器无需电池，更加方便应用。 综上原因，ReRAM在工作时耗电量更少，可以说是一种具有低功耗优势的存储器。
与通用存储器的特点比较
| 项 目 | ReRAM | EEPROM | 闪存 | SRAM |
|---|---|---|---|---|
| 存储类型 | 非易失性 | 非易失性 | 非易失性 | 揮発性 |
| 数据保持所需电池 | 不要 | 不要 | 不要 | 不要 |
| 读取电流 | 0.15mA (@5MHz) |
0.15mA (@5MHz) |
4mA (@33MHz) |
20mA (@55ns) |
| 写入电流 | 1.5mA | 3mA | 15mA | 20mA (@55ns) |
| 读取次数 | 无限制 | 无限制 | 无限制 | 无限制 |
| 重写次数 | 100万次 | 100万次 | 10万次 | 无限制 |
| 电源电压（下限） | 1.6V〜 | 1.8V〜 | 2.7V〜 | 2.7V〜 |
大容量+小型封装
我们的ReRAM产品封装为2mm x 3mm（6mm²）尺寸的WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）。许多具有SPI接口的非易失性存储器采用8引脚SOP封装，引脚会从封装两侧引出。但WL-CSP将接触点放置于背面，因此实际占用面积较小。
例如，与8引脚SOP的4Mbit存储器相比，12Mbit的ReRAM不仅存储容量增加至三倍，占用面积也减少了80%以上。
SOP和WL-CSP的安装面积比较
ReRAM的引脚配置和尺寸
（8M/12Mbit产品相同）
低读取电流
ReRAM的读取电流在5MHz下运作时平均0.15mA。EEPROM在相同5MHz下运作时平均电流为3.0mA，低了将近95%。 这一特点使其非常适用于电池驱动的可穿戴设备。例如，助听器等设备最初记录初始设置（参数）数据后，在使用时会频繁读取数据。在此情况下，低读取电流可减少电池消耗。 在电池驱动的电子设备中，我们的ReRAM尤其适用于有“小型封装尺寸存储器”以及“频繁读取数据”需求的可穿戴设备。
读取电流的比较
2.客户的诉求及ReRAM的解决方案
如您遇到以下问题，我们的ReRAM可以提供解决方案。
目前使用的EEPROM无大容量产品。 如替换为闪存替时，需更新软件，因此难以实现。
可提供最大12Mbit存储密度的ReRAM。 无需擦除操作或按扇区写入，易于与EEPROM替换。
想增加存储容量，但由于安装面积有限，无法增大封装尺寸。
2mm x 提供2mm x 3mm小型封装的8Mbit和12Mbit产品。 即使采用8MbitReRAM，也可替换为相同引脚配置以及相同封装的12Mbit产品。
想减少功耗，但传统的非易失性存储器很难大幅降低功耗。
读取电流低于EEPROM等非易失性存储器的10%，且电源电压为1.6V，可降低功耗。
使用小型电池时，不仅要考虑平均消耗电流，还要考虑峰值电流。
ReRAM的峰值电流也很小，适合小型电池使用。