公司代表致辞

RAMXEED株式会社专注于提供以高质量、高可靠性的非易失性存储器FeRAM（ferroelectric random access memory）为核心的存储产品和各种解决方案。FeRAM自1999年开始由富士通半导体部门量产，它结合了断电数据不丢失的非易失性和随机存取的特点，受到客户一致青睐。与EEPROM以及闪存等现有非易失性存储器相比，FeRAM具有“写入速度快、重写次数多、功耗低”等优势。FeRAM广泛应用于IC卡、RFID标签、电能计量器、工业设备等多种领域，并且特别适用于可穿戴设备和传感器网络。

此外，我们还量产了读取时功耗较小的ReRAM，这种存储器非常适合小型可穿戴设备。我们还在开发下一代存储器，即使用碳纳米管等材料和技术制造的非易失性存储器（NRAM）。

本公司于2020年3月从富士通半导体独立，并于2024年10月更名为RAMXEED株式会社。「RAM」代表以内存技术为核心，「XEED」融合超越现状的EXCEED以及成功的SUCCEED之意，而「X」则象征着无限可能性和共创。我们将继续为客户提供高性能、高质量的半导体产品和服务，同时致力缔造全新价值和优质服务。