FAQ
常见问题
关于ReRAM
ReRAM是什么？
ReRAM（阻变式随机存取存储器）也被称为电阻变化型存储器，是一种通过电极间金属氧化物膜的电阻值变化来存储数据的非挥发性存储器。通过在金属氧化物膜上施加电压，改变其电阻状态，从而以高电阻和低电阻状态记录“0”和“1”数据。其读出电流为业界内最低，且具备无限制的读出耐久性，特别适用于以数据读取为主要操作的应用场景。
ReRAM通常用于哪些领域？
由于读出电流低至0.2mA，ReRAM非常适合需要频繁读取数据的应用场景，如助听器等设备，用于根据情况调整音量，频繁读取存储器中保存的调节程序。
使用ReRAM是否困难？
ReRAM配备了与EEPROM相同的SPI接口，遵循SPI通信标准编程，使用非常简单。
我想评估ReRAM样品，应该从哪里获取？
请通过代理商列表或联系表单获取相关信息。
在哪里进行生产？ 是代工吗？
产品的制造委托给已有5年以上ReRAM试产和搭载ReRAM微控制器量产经验的NuvoTon Technology Japan公司。
关于RAMXEED产品
产品型号后的字母代表什么意义？
请明确填写产品的完整型号，并通过联系表单与我们联系。
如何确认产品是否已停产？
请明确填写产品的完整型号，并通过联系表单与我们联系。
如何查询IC的生产日期？
可以通过IC的标识来确认。详细信息请参考数据表中的“标识图”。
关于FeRAM
竞品比较
SRAM比较
我正在考虑用并行FeRAM替换SRAM，这可能吗？
并行FeRAM配备了异步SRAM接口，能够作为SRAM的替代方案。实际上，部分客户为了取消数据保持用的电池，已经采用了FeRAM替代方案。详情请通过我们的销售部门或联系表单与我们联系。
EEPROM,FLASH比较
与EEPROM相比，FeRAM的价格更高吗？
关于价格详情，请通过我们公司的代理商或销售部门，或通过联系表单与我们联系。
FeRAM可以替换EEPROM吗？
是的，FeRAM的8针封装与EEPROM的封装兼容，因此无需更改基板上的布线和引脚即可替换。
FeRAM可以替换闪存吗？
FeRAM的写入次数高达10^13次，不需要磨损均衡。根据客户的使用场景，某些情况下可以用FeRAM替代闪存。
据说FeRAM在非挥发性存储器中写入速度很快，有多快？
举个例子，FeRAM的写入速度为150ns，而EEPROM为10ms，闪存为10μs。与EEPROM相比，FeRAM的写入速度快约7万倍。原因在于，EEPROM和闪存需要在写入前执行字节擦除或扇区擦除等耗时操作，而FeRAM无需擦除操作，能够像SRAM一样直接覆盖写入，因此写入速度更快。
什么是串行存储器？I2C接口和SPI接口有什么不同？
我司称带有I2C和SPI接口的存储器为串行存储器。串行总线是一种以连续1比特的方式进行数据输入输出的通信方式。I2C接口通过两条信号线控制——用于控制地址和数据的“SDA”和用于控制时钟的“SCL”。另一方面，SPI接口通过四条信号线控制——用于时钟的“SCK”、地址和数据输入的“SI”、数据输出的“SO”和芯片选择的“CS”。
其他存储器
和MRAM，NVRAM有什么区别？
MRAM是一种写入速度很快的存储器，但由于其写入功耗较高，容易发热，并且容易受到磁场的影响，因此在工业应用中需要谨慎使用。NVRAM为了在断电时保证数据，需要额外的外部电容器等设备，导致其BOM成本高于FeRAM。
产品特性 / 规格 / 支持
重写保证
虽然有写入次数的限制，但是仅读取的话可以无限次读取吗？
不是无限制的。写入与读取的总和计入写入次数的保证。
为什么不仅计算写入次数，还要计算读取次数？
FeRAM在读取数据时会自动重新写入已读取的数据，因此读取时也会计算为写入次数。
写入次数保证是针对整个芯片的次数吗？
不是。写入次数并不是芯片整体的总次数。产品的保修范围因型号而异，具体信息请参阅各产品的规格书。
数据保留
数据保持特性是否依赖于温度？
数据保持时间取决于客户的使用温度。例如，规格书上标明“10年（+85℃）”的产品表示，在85℃的条件下可以保证数据保存10年。如果使用环境的温度为25℃或60℃等低于85℃的情况下，理论上数据保持时间会超过10年。详细信息请参阅各产品的规格书。
其他
FeRAM受磁场影响吗？
FeRAM使用铁电材料作为存储介质。虽然物质会受到外部磁场的轻微影响，但影响较大的主要是Fe、Co、Ni、Cr等强磁性或反磁性材料。FeRAM不使用这些材料，因此原则上不会受到外部磁场的影响。
FeRAM有仿真模型（Verilog, IBIS）吗？
在“产品列表”页面上可以提供产品的Verilog模型和IBIS模型，您可以通过联系表单进行申请。
FeRAM需要专用的内存控制器吗？
FeRAM与其他内存一样，配备了通用接口（并行、SPI、I2C），可与通用控制器或微控制器兼容使用。
提到了‘低功耗’，具体有多低？
在FeRAM与EEPROM的SPI接口下，比较256字节的数据写入功耗时，FeRAM的功耗仅为EEPROM的约三十分之一。
FeRAM符合RoHS指令吗？
FeRAM符合RoHS指令。详情请参考“环境合规”页面，介绍了对欧盟RoHS和中国RoHS的支持。
想了解关于REACH的适应情况。
关于REACH的详细信息，请参阅“环境合规”页面。
想了解关于针对冲突矿物的处理。
关于冲突矿物的详细信息，请参阅“环境合规”页面。
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不，FeRAM符合RoHS指令，铅（Pb）的含量低于1000ppm，因此不违反规定。
能提供芯片和晶圆供应吗？
如有需求，请通过我们公司的销售部门或联系表单与我们联系。
FeRAM产品
可以安排一个更详细的说明解释机会吗？
是的，您可以通过我们的销售部门或联系表单与我们安排详细的说明会。
FeRAM是什么？
FeRAM是“Ferroelectric Random Access Memory”（铁电随机存取存储器）的缩写，是一种使用铁电材料存储数据的非易失性存储器。它结合了ROM和RAM的特性，具备高速写入、高写入耐久性（多次写入保证）和低功耗的特点。关于FeRAM的详细说明，请参阅“选择FeRAM的理由”页面。
FeRAM有采用实例吗？
我们公司自1999年起就开始供应量产FeRAM，拥有丰富的量产记录。从量产之初至今，客户一直在持续使用我们的产品。详情请参阅“应用”页面。
FeRAM通常用于哪些领域？
FeRAM主要用于需要频繁写入数据的应用场景。比如，办公设备（MFP的计数器、打印记录）、工厂自动化设备（测量仪器和分析仪器的参数和数据日志）、金融终端（交易记录）、基础设施的测量设备（电表）、车载导航和音响设备（断电前的恢复数据）。此外，还广泛应用于其他领域，详情请参阅“应用”页面。
使用FeRAM是否困难？
使用FeRAM并不困难。串行接口产品可以像现有的串行EEPROM或串行闪存一样使用。此外，并行接口产品可以像带有异步接口的SRAM一样使用。
FeRAM、FRAM、F-RAM是同一种东西吗？
是的，FeRAM、FRAM和F-RAM都是指铁电随机存取存储器。
我想评估FeRAM样品，应该从哪里获取？
您可以通过产品页面的样品Web销售链接、销售点或联系表单获取样品。
有关FeRAM的说明资料或介绍资料有吗？
是的，以下链接可以下载相关资料：
产品目录
数据表
白皮书
FeRAM是由一家公司供应的吗？还有其他供应商吗？
还有其他供应商存在。